Solutions de microscopie pour
fabrication de semi-conducteurs
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Photolithographie
La photolithographie est le processus consistant à imprimer les motifs de circuit intégré sur le wafer. Ce processus est répété plusieurs fois pour produire des motifs de circuit complexes.
Mesure de l’épaisseur du film dans le cadre du processus de dépôt du film photosensible
L’opérateur effectuant le contrôle imprime le motif sur le wafer en silicone par photolithographie. Le contrôle de l’épaisseur film photosensible est essentiel pour imprimer correctement le motif sur le wafer.
Notre solution
Grâce à ses filtres équipés de lame à retard (QWP), notre microscope confocal à balayage laser OLS5000 élimine l’effet de diffusion de lumière du silicone et permet d’observer précisément le profil de la surface. Le mode Skip Scan permet une acquisition rapide.
 Microscope à balayage laser gamme OLS |  Image de film photosensible obtenue à l’aide d’un objectif MPLAPON100xLEXT |  Lumière diffusée  Suppression de l’effet de lumière diffusée |
Notes d’application
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Contrôle de la présence de film photosensible résiduel
Le film photosensible doit être totalement éliminé des wafers à la fin du processus lithographique, car ses résidus entraînent un dysfonctionnement des circuits électriques. Les résidus de film photosensible sont difficiles à détecter en raison de leur faible dimension.
Notre solution
La méthode d’observation par fluorescence du microscope industriel de la gamme MX éclaire les résidus et facilite ainsi l’observation. Associez le chargeur automatique de wafers en option à votre microscope afin de réaliser des contrôles particulièrement efficaces.
 Microscope pour l’inspection des semi-conducteurs, gamme MX |  Observation par fluorescence des résidus de film photosensible |
Notes d’application
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Vérification des motifs de circuit intégré sur un wafer après gravure
Un wafer en carbure de silicium (SiC) est utilisé comme substrat pour un semi-conducteur d’alimentation. Un opérateur vérifie les dimensions du motif du wafer après gravure. Les tailles de motifs se réduisant, leur contrôle nécessite une précision accrue. Le motif (sillon) sur le wafer en carbure de silicium doit également être mesuré. La taille du sillon sur le SiC est d’environ 1 µm.
Notre solution
Le microscope de la gamme OLS peut mesurer des motifs précis après l’étape de gravure.
Microscope à balayage laser gamme OLS |  Motif sur un wafer en carbure de silicium |  Coupe transversale d’un wafer en carbure de silicium |
Notes d’application
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Détection de défauts au niveau des motifs
Les wafers peuvent présenter des défauts en raison d’une dégradation des matériaux de fabrication, d’un ajustement inadéquat, d’une erreur humaine ou d’une contamination, il est donc essentiel de les détecter.
Notre solution
Les microscopes de la gamme MX et de la gamme DSX peuvent être utilisés pour contrôler la présence de défauts. L’opérateur sélectionne une méthode d’observation appropriée pour détecter les défauts à faible grossissement, et confirme le type de défaut à fort grossissement. Notre gamme DSX (avec platine de grande taille modulable) facilite le processus d’analyse avec des méthodes d’observation faciles à modifier.
Microscope pour l’inspection des semi-conducteurs gamme MX |  Microscope numérique gamme DSX |  Observation effectuée avec un microscope à contraste interférentiel, à fort grossissement |
Notes d’application
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Microscope pour l’inspection des semi-conducteurs gamme MX Demander un devis | Microscope numérique gamme DSX Demander un devis |