Soluciones de microscopios para
la fabricación de semiconductores
Fotolitografía
La fotolitografía es el proceso para imprimir patrones de circuitos integrados en la oblea (plaqueta). Este proceso se repite varias veces para crear patrones de circuitos complejos.
Medición del espesor de resistencia en el proceso de fotorresistencia
El inspector imprime el patrón diseñado en la oblea (plaqueta) de silicio mediante fotolitografía. Acertar el espesor de resistencia es fundamental para imprimir correctamente patrones en oblea (plaqueta).
Solución Olympus
Con los filtros QWP, el microscopio confocal láser OLS5000 de Olympus permite eliminar el efecto de luz dispersa del silicio y capturar con precisión el perfil de la superficie. El modo de omisión de escaneo también ayuda para una adquisición rápida.
 Microscopio de escaneo láser de la serie OLS |  Fotorresistencia capturada con un objetivo MPLAPON100xLEXT |  Luz dispersa  Eliminación del efecto de la luz dispersa |
Notas de aplicación
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Verificación del material fotorresistente residual
El material fotorresistente debe eliminarse completamente de las obleas (plaquetas) al final del proceso de litografía, ya que sus residuos provocan el mal funcionamiento de los circuitos eléctricos. Estos residuos fotorresistentes son difíciles de inspeccionar debido a su tamaño pequeño.
Solución Olympus
El método de observación de fluorescencia integrado en nuestro microscopio industrial de la serie MX ilumina los residuos para facilitar la inspección. Combine el microscopio con el cargador automático de oblea (plaqueta) opcional para inspecciones altamente eficientes.
 Microscopio para semiconductores de la serie MX |  Observación fluorescente de residuos provenientes de material fotorresistente |
Notas de aplicación
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Verificación de patrones de CI en una oblea (plaqueta) después del grabado
La oblea (plaqueta) de carburo de silicio (SiC) es usada como sustrato para un semiconductor de energía. El inspector debe verificar la dimensión del patrón en la oblea (plaqueta) después del grabado. Y, a medida que la dimensión de los patrones disminuye, es necesario mayor precisión para verificarlos. Asimismo, es necesario medir el patrón (zanja) en la oblea (plaqueta) de SiC. La dimensión de zanja en una oblea (plaqueta) SiC es de 1 μm aproximadamente.
Solución Olympus
El microscopio de la serie OLS de Olympus puede medir los patrones finos después del grabado.
Microscopio de escaneo láser de la serie OLS |  Patrón en oblea (plaqueta) de SiC |  Sección transversal de una oblea (plaqueta) de SiC |
Notas de aplicación
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Detección de defectos en patrones
Las obleas (plaquetas) pueden presentar defectos por causa de la degradación que experimenta el equipamiento de fabricación, la configuración inadecuada, los errores humanos y la contaminación; y, es fundamental detectarlos.
Solución Olympus
Los microscopios de la serie MX y DSX de Olympus pueden ser usados para inspeccionar defectos. El operador debe seleccionar un método de observación adecuado para detectar los defectos con una magnificación baja y confirmar el tipo de defecto con una magnificación alta. La serie de microscopios DSX (dotados de una gran platina personalizada) favorece un proceso de trabajo simple con métodos de observación fáciles de alternar.
Microscopio para semiconductores de la serie MX |  Microscopio digital de la serie DSX |  Observación DIC con alta magnificación |
Notas de aplicación
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Microscopio para semiconductores de la serie MX Solicite una cotización | Microscopio digital de la serie DSX Solicite una cotización |