半導体デバイスを非破壊で内部観察

電子機器の薄型化、小型化へのニーズの高まりに伴い、半導体デバイスのパッケージング技術も急速な進化を遂げています。近赤外線顕微鏡を用いれば、SiP(System in Package)や3次元実装、CSP(Chip Size Package)などの可視では見えない領域を非破壊で検査、解析が可能です。

フリップチップ実装の非破壊不良解析

フリップチップボンディングでは、実装後にボンディング部やパターンを可視光で検査することができません。しかし、近赤外線顕微鏡であれば実装後のICチップを破壊することなく、シリコンを透過して内部の観察ができます。顕微鏡下に置くだけで、かんたんに不良解析がおこなえます。FIB（Focuszed Ion Beam）で処理すべき位置の特定にも有効です。

ウエハレベルCSP開発の環境試験によるチップダメージ

ウエハレベルCSPの加熱試験や加湿試験によるデバイスの変化を非接触で検査することができます。銅配線部の融解や腐食によるリーク、樹脂部の剥離などを確実に観察することができます。

アルミ配線部（裏面観察）

ハンダの濡れ性評価

電極部（裏面観察）

サンプルに応じた本体ラインアップ

MXシリーズ（半導体検査タイプ）

150～300mmウエハなど大型のサンプルを観察することができます。落射観察のみ対応します。

半導体/FPD検査顕微鏡 MX61

工業用検査顕微鏡 MX51

BXシリーズ（スタンダードタイプ）

電動システム工業顕微鏡 （落射透過兼用） BX61

落射観察と透過観察に対応します。

BXFM（装置組込みタイプ）

システム工業顕微鏡（装置組込みユニット）BXFM

装置に組み込むことができる小型設計です。 * IRカメラとソフトウェアに関してはホームページにてお問い合わせください。

デジタルエンハンサシステム

デジタルエンハンス

リアルタイム観察画像に自動追従するエンハンサ機能を搭載しました。従来はコントラストが低かった近赤外線顕微鏡画像をハイコントラストでストレスなく観察できます。また、8種類の豊富な計測機能が、開発や品質保証分野におけるデータの定量化に貢献いたします。

エンハンスなし

エンハンスあり

計測機能
2点間測定	垂線長	線幅測定	角度計測
円計測	面積	周囲長	四角形 重心間距離

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専用対物レンズなどの近赤外観察ユニットを、対応する顕微鏡に搭載することにより赤外線観察が可能な顕微鏡となります。
対応する顕微鏡の仕様については、各顕微鏡の仕様をご参照ください。

近赤外観察ユニット

IR専用対物レンズ

> IR専用対物レンズ仕様はこちら

対応顕微鏡一覧

赤外線落射観察
> MX61A: 周辺機器を統合的に制御可能な300mmウエハ対応電動モデル
> MX61L/ MX61: 300 mm/ 200 mm ウエハに対応可能な電動モデル
> MX51: 150mmウエハに対応可能なマニュアルモデル
> BX51M: 明視野から蛍光まで幅広い観察に対応する汎用モデル

赤外線落射透過観察
> BX61: 操作の省力化に最適な電動制御モデル
> BX51: 明視野から蛍光まで幅広い観察に対応する汎用モデル